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LP0701ND
規(guī)格信息:

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:4 A

Vds-漏源極擊穿電壓:- 16.5 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 Ohms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :10 V

最大工作溫度:+ 150 C

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:Die

商標(biāo):Microchip Technology

通道模式:Enhancement

下降時(shí)間:30 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時(shí)間:20 ns

典型? 00005E4F ??閉延遲時(shí)間:30 ns

典型接通延遲時(shí)間:20 ns

介紹圖LP0701ND
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
LP0701NDP-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET SUTEX[Supertex, Inc]SUTEX[Supertex, Inc]的LOGO-天天IC網(wǎng)32.8 Kbytes共4頁(yè)LP0701ND的PDF文件地址MMBF0202PLT1,STJ828UF,MRF5S19100HR3,UGF27025,SI9933DY,MW6S004NT1,MMBF2202PT1,MRF9030MR1,MRF5P21180,MRF1511T1 LP0701ND的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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