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LP0701LG
規(guī)格信息：

制造商:Microchip

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:否

商標(biāo):Microchip Technology

Id-連續(xù)漏極電流:- 700 mA

Vds-漏源極擊穿電壓:- 16.5 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1.5 Ohms

晶體管極性:P-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :10 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:1.5 W

安裝風(fēng)格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SO-8

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain

下降時間:20 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:20 ns

工廠包裝數(shù)量:2500

典型關(guān)閉延遲時間:30 ns

典型接通延遲時間:20 ns

單位重量:85 mg

LP0701LG

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
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LP0701LGG	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	MICROCHIP[Microchip Technology]	540.01 Kbytes	共14頁		產(chǎn)品購買
LP0701LG-G	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	SUTEX[Supertex, Inc]	597.6 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
LP0701LG-G	P-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET	SUTEX[Supertex, Inc]	597.6 Kbytes	共6頁		產(chǎn)品購買
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