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L8550QLT1G
規(guī)格信息：

封裝形式Package：SOT-23

極性Polarity：PNP

集電極最大允許電流Ic：800mA

集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：25V

電流放大倍數(shù)最小值hFE_Min：150

電流放大倍數(shù)最大值hFE_Max：300

封裝/外殼：SOT-23

Ic(mA)：800

VCEO(V)：25

hFEMin/Max：150/300

Polarity：PNP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖L8550QLT1G
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L8550QLT1GGeneral Purpose Transistors PNP Silicon LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]LEIDITECH[Shanghai Leiditech Electronic Technology Co., Ltd]的LOGO-天天IC網(wǎng)682.3 Kbytes共4頁L8550QLT1G的PDF文件地址 L8550QLT1G的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
L8550QLT1G_15General Purpose Transistors LANSDALE[LANSDALE Semiconductor Inc.]LANSDALE[LANSDALE Semiconductor Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)208.41 Kbytes共4頁L8550QLT1G_15的PDF文件地址 L8550QLT1G_15的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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