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L8550HRLT1G
規(guī)格信息：

系列：L8550

封裝/外殼：Reel

封裝形式Package：SOT-23

極性Polarity：PNP

集電極最大允許電流Ic：1500mA

集電極_發(fā)射極擊穿電壓VCEO：25V

電流放大倍數(shù)最小值hFE_Min：200

電流放大倍數(shù)最大值hFE_Max：400

封裝/外殼：SOT-23

Ic(mA)：1500

VCEO(V)：25

hFEMin/Max：200/400

Polarity：PNP

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖L8550HRLT1G
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
L8550HRLT1GGeneral Purpose Transistors PNP Silicon Epitaxial planar type. LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網(wǎng)85.95 Kbytes共3頁L8550HRLT1G的PDF文件地址 L8550HRLT1G的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
L8550HRLT1G_15General Purpose Transistors LRC[Leshan Radio Company]LRC[Leshan Radio Company]的LOGO-天天IC網(wǎng)90.45 Kbytes共3頁L8550HRLT1G_15的PDF文件地址 L8550HRLT1G_15的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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