存儲器類型:非易失
存儲器格式:閃存
技術:FLASH - NOR
存儲容量:64Mb (8M x 8,4M x 16)
寫周期時間 - 字,頁:70ns
訪問時間:70ns
存儲器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:48-TFSOP(0.173",4.40mm 寬)
供應商器件封裝:48-TSOP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
JR28F064M29EWTA
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| JR28F064M29EWTA | Parallel NOR Flash Embedded Memory | MICRON[Micron Technology] | 1118.76 Kbytes | 共87頁 | 產(chǎn)品購買 |
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