存儲(chǔ)器類型:非易失
存儲(chǔ)器格式:閃存
技術(shù):FLASH - NOR
存儲(chǔ)容量:32Mb (4M x 8,2M x 16)
寫周期時(shí)間 - 字,頁:70ns
訪問時(shí)間:70ns
存儲(chǔ)器接口:并聯(lián)
電壓 - 電源:2.7 V ~ 3.6 V
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:48-TFSOP(0.724",18.40mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:48-TSOP
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
JR28F032M29EWLA
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| JR28F032M29EWLA | Parallel NOR Flash Embedded Memory | MICRON[Micron Technology] | 1118.76 Kbytes | 共87頁 | 產(chǎn)品購買 |
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