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JAN2N2906AUB
規(guī)格信息：

晶體管類型：PNP

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：600mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：60V

不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）：1.6V @ 50mA，500mA

電流 - 集電極截止（最大值）：50nA

不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：40 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：500mW

工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：4-SMD，無(wú)引線

供應(yīng)商器件封裝：UB

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

JAN2N2906AUB

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JAN2N2906AUB	PNP SMALL SIGNAL SILICON TRANSISTOR	MICROSEMI[Microsemi Corporation]		68.47 Kbytes	共2頁(yè)		FMMTA70,2SA1980,CP616,2SA1980E,CP617,2SA1980EF,CP618,2SA1980M,ZTX500,ZTX541		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
JAN2N2906AUB/TR	雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT)	Microsemi		115.50 Kbytes	共6頁(yè)				產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)