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JAN2N2880
規(guī)格信息：

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：5A

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：1.5V @ 500mA，5A

電流 - 集電極截止（最大值）：20μA

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：40 @ 1A，2V

功率 - 最大值：2W

工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：接線柱安裝

封裝/外殼：TO-210AA，TO-59-4，接線柱

供應商器件封裝：TO-59

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖JAN2N2880
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
JAN2N2880PNP POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)64.33 Kbytes共2頁JAN2N2880的PDF文件地址2SB804,FMMT591,FZT558,FZT795A,ZTX955,BCP72,BDP952,2SA1979SF,2N6049,BD206 JAN2N2880的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
JAN2N2880NPN POWER TRANSISTORS - 1 SOLITRON[Solitron Devices Inc.]SOLITRON[Solitron Devices Inc.]的LOGO-天天IC網(wǎng)116.29 Kbytes共2頁JAN2N2880的PDF文件地址 JAN2N2880的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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