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JAN2N1893S
規(guī)格信息：

晶體管類型：NPN

電流 - 集電極（Ic）（最大值）：500mA

電壓 - 集射極擊穿（最大值）：80V

不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）：5V @ 15mA，150mA

電流 - 集電極截止（最大值）：10μA（ICBO）

不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）：40 @ 150mA，10V

功率 - 最大值：3W

工作溫度：-65°C ~ 200°C（TJ）

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-205AD，TO-39-3 金屬罐

供應商器件封裝：TO-39（TO-205AD）

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

介紹圖JAN2N1893S
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關型號第一頁預覽產(chǎn)品購買
JAN2N1893SNPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)59.01 Kbytes共2頁JAN2N1893S的PDF文件地址MRF553,MRF555,ZXTDBM832,MRF557,MRF8372,JAN2N3019S,UPA1434,MRF837,UPA1454,2N930 JAN2N1893S的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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