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JAN2N1893
規(guī)格信息：

SeriesMilitary, MIL-PRF-19500/182

PackageBulk

Transistor TypeNPN

Current - Collector (Ic) (Max)500 mA

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)80 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic5V @ 15mA, 150mA

Current - Collector Cutoff (Max)10μA (ICBO)

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce40 @ 150mA, 10V

Power - Max800 mW

Frequency - Transition-

Operating Temperature-65°C ~ 200°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Package / CaseTO-205AA, TO-5-3 Metal Can

Supplier Device PackageTO-5

介紹圖JAN2N1893
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JAN2N1893NPN LOW POWER SILICON TRANSISTOR MICROSEMI[Microsemi Corporation]MICROSEMI[Microsemi Corporation]的LOGO-天天IC網(wǎng)59.01 Kbytes共2頁JAN2N1893的PDF文件地址MRF553,MRF555,ZXTDBM832,MRF557,MRF8372,JAN2N3019S,UPA1434,MRF837,UPA1454,2N930 JAN2N1893的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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