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IX2127N
規(guī)格信息：

驅(qū)動配置：高壓側(cè)

通道類型：單路

驅(qū)動器數(shù)：1

柵極類型：IGBT，N 溝道 MOSFET

電壓 - 電源：9 V ~ 12 V

邏輯電壓?- VIL，VIH：0.8V，3V

電流 - 峰值輸出（灌入，拉出）：250mA，500mA

輸入類型：非反相

高壓側(cè)電壓 - 最大值（自舉）：600V

上升/下降時間（典型值）：23ns，20ns

工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）

供應(yīng)商器件封裝：8-SOIC

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IX2127N

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	產(chǎn)品購買
IX2127N	High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver	CLARE[Clare, Inc.]	1370.21 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IX2127N	High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver	CLARE[Clare, Inc.]	1640.69 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IX2127N	Power MOSFET & IGBT Driver	IXYS[IXYS Corporation]	291.16 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買
IX2127NTR	High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver	CLARE[Clare, Inc.]	1370.21 Kbytes	共11頁	產(chǎn)品購買
IX2127NTR	High-Voltage Power MOSFET & IGBT Driver	CLARE[Clare, Inc.]	1640.69 Kbytes	共12頁	產(chǎn)品購買
IX2127NTR	Power MOSFET & IGBT Driver	IXYS[IXYS Corporation]	291.16 Kbytes	共13頁	產(chǎn)品購買