驅(qū)動配置:半橋
通道類型:獨立式
驅(qū)動器數(shù):2
柵極類型:IGBT,N 溝道 MOSFET
電壓 - 電源:15 V ~ 20 V
邏輯電壓?- VIL,VIH:6V,9.5V
電流 - 峰值輸出(灌入,拉出):2A,2A
輸入類型:非反相
高壓側(cè)電壓 - 最大值(自舉):1200V
上升/下降時間(典型值):9.4ns,9.7ns
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:28-SOIC(0.295",7.50mm 寬)
供應(yīng)商器件封裝:28-SOIC
無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs
IX2120BTR
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| IX2120BTR | 1200V High and Low Side | IXYS[IXYS Corporation] | 263.95 Kbytes | 共13頁 | 產(chǎn)品購買 |
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