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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-251-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Id-連續(xù)漏極電流:20 A

Rds On-漏源導通電阻:170 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:1 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:31 nC

最小工作溫度:- 40 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:79 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

封裝:Tube

高度:6.22 mm

長度:6.73 mm

晶體管類型:1 P-Channel

類型:Digital Audio MOSFET

寬度:2.38 mm

商標:Infineon / IR

正向跨導 - 最小值:5.3 S

下降時間:9.5 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:24 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:21 ns

典型接通延遲時間:9.5 ns

零件號別名:SP001568868

單位重量:4 g