產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
設(shè)計(jì)資源：IRLR7833 Saber Model IRLR7833 Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：2,025
類(lèi)別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類(lèi)型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門(mén)
漏源極電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：140A（Tc）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：4.5 毫歐 @ 15A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.3V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：50nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：4010pF @ 15V
功率 - 最大值：140W
安裝類(lèi)型：通孔
封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB
供應(yīng)商器件封裝：I-Pak
其它名稱(chēng)：*IRLU7833