封裝/外殼：IPAK
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：30A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：5V，10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14 毫歐 @ 30A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：92nC @ 10V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1870pF @ 25V
功率耗散（最大值）：120W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：IPAK（TO-251）
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：61 A
最大漏源電壓：55 V
最大漏源電阻值：0.017 0hms
最大柵源電壓：-16 V、+16 V
封裝類型：IPAK (TO-251)
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：3
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：120 W
最高工作溫度：+175 °C
長(zhǎng)度：6.73mm
最低工作溫度：-55 °C
高度：6.22mm
每片芯片元件數(shù)目：1
正向跨導(dǎo)：42S
正向二極管電壓：1.3V
系列：HEXFET
尺寸：6.73 x 2.38 x 6.22mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：92 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1870 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：83 ns
典型接通延遲時(shí)間：7.4 ns
寬度：2.38mm
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs