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IRLR8256
規(guī)格信息：

封裝/外殼：DPAK

Packing Type：TAPE & REEL

Moisture Level：1

RDS (on) max：5.7m?

VDS max：25.0V

ID max：57.0A

Package：DPAK (TO-252)

Tj max：175.0°C

QG：10.0nC

Budgetary Price ?€/1k：0.23

RDS (on) (@4.5V) max：8.5m?

Ptot max：63.0W

Polarity：N

Qgd：3.6nC

VGS max：20.0V

Mounting：SMD

RthJC max：2.4K/W

ID (@ TC=25°C) max：81.0A

無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs

IRLR8256

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRLR8256	N-Channel MOSFET Transistor	ISC[Inchange Semiconductor Company Limited]	335.84 Kbytes	共2頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRLR8256PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	358.12 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRLR8256PBF	Simple Drive Requirements	IRF[International Rectifier]	290.42 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRLR8256PBF_15	Simple Drive Requirements	IRF[International Rectifier]	290.42 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRLR8256TRPBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	358.12 Kbytes	共11頁(yè)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)