設(shè)計(jì)資源：IRLL2705TR Saber Model IRLL2705TR Spice Model
標(biāo)準(zhǔn)包裝：1
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：剪切帶（CT）
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：邏輯電平門
漏源極電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.8A（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：40 毫歐 @ 3.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：48nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：870pF @ 25V
功率 - 最大值：1W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
其它名稱：*IRLL2705TRIRLL2705CT