封裝/外殼：SOT223
FET 類(lèi)型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：55V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：3.1A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4V，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：15.6nC @ 5V
Vgs（最大值）：±16V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：510pF @ 25V
功率耗散（最大值）：1W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：65 毫歐 @ 3.1A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類(lèi)型：表面貼裝
封裝形式Package：SOT-223
極性Polarity：N-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：55V
連續(xù)漏極電流ID：4.4A
供應(yīng)商器件封裝：SOT-223
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs