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IRL640
規(guī)格信息:

FET 類型:N 溝道

技術(shù):MOSFET(金屬氧化物)

漏源電壓(Vdss):200V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):17A(Tc)

驅(qū)動電壓(最大 Rds On,最小 Rds On):4V,5V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?(Qg)(最大值):66nC @ 5V

Vgs(最大值):±10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss)(最大值):1800pF @ 25V

功率耗散(最大值):125W(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):180 毫歐 @ 10A,5V

工作溫度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安裝類型:通孔

供應商器件封裝:TO-220AB

封裝/外殼:TO-220-3

無鉛情況/RoHs:無鉛/符合RoHs

介紹圖IRL640
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IRL640AAdvanced Power MOSFET FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]FAIRCHILD[Fairchild Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)226.35 Kbytes共7頁IRL640A的PDF文件地址IRF540A,IRFS530A,IRLM120A,IRLWI530A,SFM9014,SFP9644,SFS2955,SFW12955,SSF17N60A,STK830FC IRL640A的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
IRL640PBFHEXFET Power MOSFET ( VDSS = 200V , RDS(on) = 0.18?? , ID = 17A ) IRF[International Rectifier]IRF[International Rectifier]的LOGO-天天IC網(wǎng)930.01 Kbytes共8頁IRL640PBF的PDF文件地址IRFD224PBF,IRF7342PBF,IRF7832ZPBF,IRF3709ZCSPBF,IRL1104SPBF,PVR13N_1,IRF830APBF,IRF7304PBF,IRF9520NSPBF,IRFIZ24EPBF IRL640PBF的PDF第一頁預覽圖片 產(chǎn)品購買
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