FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.9A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：2.5V，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1.1V @ 10μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：11nC @ 4.5V
Vgs（最大值）：±12V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1025pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14.6 毫歐 @ 9.9A，4.5V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
封裝/外殼：SO8
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：9.9 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：19 m0hms
最大柵閾值電壓：1.1V
最小柵閾值電壓：0.5V
最大柵源電壓：-12 V、+12 V
封裝類型：SOIC
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
每片芯片元件數(shù)目：1
長度：5mm
高度：1.5mm
系列：HEXFET
寬度：4mm
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：11 nC @ 4.5 V
典型輸入電容值@Vds：1025 pF @ 25 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：33 ns
典型接通延遲時(shí)間：6 ns
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs