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FET 類型：P 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：100V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：5.6A（Tc）

驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：18nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：390pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2.5W（Ta），42W（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：600 毫歐 @ 3.4A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-251AA

封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs