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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風(fēng)格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-251-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:P-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:55 V

Id-連續(xù)漏極電流:31 A

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:65 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:42 nC

最小工作溫度:- 55 C

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:110 W

配置:Single

封裝:Tube

高度:6.22 mm

長(zhǎng)度:6.73 mm

晶體管類型:1 P-Channel

寬度:2.38 mm

商標(biāo):Infineon Technologies

正向跨導(dǎo) - 最小值:8 S

下降時(shí)間:63 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時(shí)間:66 ns

工廠包裝數(shù)量:3000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時(shí)間:39 ns

典型接通延遲時(shí)間:14 ns

零件號(hào)別名:SP001550274

單位重量:4 g