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制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

RoHS:否

商標:Vishay / Siliconix

Id-連續(xù)漏極電流:29 A

Vds-漏源極擊穿電壓:600 V

Rds On-漏源導通電阻:210 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :30 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:480 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-274-3

封裝:Tube

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:54 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:100 ns

工廠包裝數量:500

典型關閉延遲時間:66 ns

典 1000 型接通延遲時間:34 ns