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IRFPE30
規(guī)格信息：

FET 類型：N 溝道

技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：800V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：4.1A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：78nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1300pF @ 25V

功率耗散（最大值）：125W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3 歐姆 @ 2.5A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：通孔

供應(yīng)商器件封裝：TO-247-3

封裝/外殼：TO-247-3

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs

IRFPE30

型號	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁數(shù)	相關(guān)型號	產(chǎn)品購買
IRFPE30	Power MOSFET(Vdss=800V, Rds(on)=3.0ohm, Id=4.1A)	IRF[International Rectifier]	165.31 Kbytes	共6頁	SHD244702,IRFBE30,SBF50P10-023L,SHD224701,JANTX2N6794,SHD225701,STD60N55,CMT60N03,MMDF3N03HD,MMSF3305	產(chǎn)品購買
IRFPE30	WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE	IRF[International Rectifier]	385.42 Kbytes	共10頁	IRGP35B60PD,IRGP20B60PD,IRGS6B60KD,IRGIB6B60KD,IKA06N60T,IHP10T120,IRG4PH40UD2PBF,IRGP30B120KD-E,IRG4ZH70UD,IRGP20B120UD-E	產(chǎn)品購買
IRFPE30	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1516.23 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買
IRFPE30PBF	HEXFET Power MOSFET	IRF[International Rectifier]	1769.82 Kbytes	共8頁	IRFZ34VPBF,IRF7210PBF,IRFR210PBF,IRFR3707ZCPBF,IRF5210SPBF,IRF7460PBF,IRFBC40APBF,IRFP340PBF,IRFS4410PBF,IRLL024NPBF	產(chǎn)品購買
IRFPE30PBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1516.23 Kbytes	共8頁	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購買