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FET 類型：P 溝道

技術：MOSFET（金屬氧化物）

漏源電壓（Vdss）：60V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：1.8A（Tc）

驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V

不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250μA

不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：12nC @ 10V

Vgs（最大值）：±20V

不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：270pF @ 25V

功率耗散（最大值）：2W（Ta），3.1W（Tc）

不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：500 毫歐 @ 1.1A，10V

工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）

安裝類型：表面貼裝

供應商器件封裝：SOT-223

封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA

無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs