產(chǎn)品培訓模塊:High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers)
標準包裝:2,500
類別:分立半導體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:HEXFET®
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):55V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):2.8A(Ta)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):75 毫歐 @ 2.8A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):18.3nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):400pF @ 25V
功率 - 最大值:1W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-261-4,TO-261AA
供應商器件封裝:SOT-223
其它名稱:IRFL024NTRPBF-NDIRFL024NTRPBFTR
IRFL024NTRPBF
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| IRFL024NTRPBF | Advanced Process Technology | IRF[International Rectifier] | 115.72 Kbytes | 共8頁 | 產(chǎn)品購買 |
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