封裝/外殼：FULLPAK220
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：60V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：86A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：3.4 毫歐 @ 75A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 150μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：195nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：6600pF @ 48V
功率耗散（最大值）：75W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應(yīng)商器件封裝：TO-220 整包
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：86 A
最大漏源電壓：60 V
最大漏源電阻值：0.0034 0hms
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：TO-220FP
引腳數(shù)目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：75 W
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：55 ns
典型接通延遲時(shí)間：22 ns
典型輸入電容值@Vds：6600 pF @ 48 V
典型柵極電荷@Vgs：130 nC @ 10 V
晶體管材料：Si
系列：HEXFET
最高工作溫度：+175 °C
寬度：4.83mm
每片芯片元件數(shù)目：1
最低工作溫度：-55 °C
長度：10.63mm
正向跨導(dǎo)：88S
正向二極管電壓：1.3V
尺寸：10.63 x 4.83 x 9.8mm
高度：9.8mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs