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IRFI640G
規(guī)格信息：

標(biāo)準(zhǔn)包裝：1,000

類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭：FET - 單

系列：-

包裝：管件

FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物

FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓（Vdss）：200V

電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.8A（Tc）

不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：180 毫歐 @ 5.9A，10V

不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）：70nC @ 10V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）：1300pF @ 25V

功率 - 最大值：40W

安裝類型：通孔

封裝/外殼：TO-220-3 全封裝，隔離接片

供應(yīng)商器件封裝：TO-220-3

其它名稱：*IRFI640G

IRFI640G

型號(hào)	功能描述	生產(chǎn)廠商	PDF大小	PDF頁(yè)數(shù)	相關(guān)型號(hào)	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFI640G	Power MOSFET(Vdss=200V, Rds(on)=0.18ohm, Id=9.8A)	IRF[International Rectifier]	172.81 Kbytes	共6頁(yè)	SBF50P10-023L,SHD224701,IRFN240,IRFY130CM,IRFY240CM,SHD225701,JANTX2N6756,JANTX2N6796,SHD244702,IPS0551T	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRFI640G	Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	4318.56 Kbytes	共7頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRFI640G_17	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1810.84 Kbytes	共8頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRFI640GPBF	Power MOSFET	VISHAY[Vishay Siliconix]	1801.36 Kbytes	共8頁(yè)	RJK6014DPP,53272,AP85U03GMT,2SJ314-01L,IRFBA1404PPBF,IRHY7G30CMSE,IRF7822PBF,STD20NF20,BLV1N60A,STB55NF06_06	產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRFI640GPBF	Power MOSFET	KERSEMI[Kersemi Electronic Co., Ltd.]	4318.56 Kbytes	共7頁(yè)		產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)