封裝/外殼：FULLPAK220
FET 類型：N 溝道
技術：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：200V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：26A（Tc）
驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：25 毫歐 @ 17A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：5V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：110nC @ 10V
Vgs（最大值）：±30V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：4600pF @ 25V
功率耗散（最大值）：46W（Tc）
工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：通孔
供應商器件封裝：TO-220AB 整包
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：26 A
最大漏源電壓：200 V
最大漏源電阻值：25 m0hms
最大柵閾值電壓：5V
最小柵閾值電壓：3V
最大柵源電壓：-30 V、+30 V
封裝類型：TO-220FP
引腳數目：3
晶體管配置：單
通道模式：增強
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：46 W
高度：16.12mm
每片芯片元件數目：1
尺寸：10.63 x 4.83 x 16.12mm
寬度：4.83mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：73 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：4600 pF @ 25 V
典型關斷延遲時間：11 ns
典型接通延遲時間：17 ns
最低工作溫度：-40 °C
最高工作溫度：+150 °C
長度：10.63mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs