產(chǎn)品培訓(xùn)模塊：Discrete Power MOSFETs 40V and Below
標(biāo)準(zhǔn)包裝：50
類別：分立半導(dǎo)體產(chǎn)品
家庭：FET - 單
系列：HEXFET®
包裝：管件
FET 類型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源極電壓（Vdss）：40V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：206A（Tc）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：3.7 毫歐 @ 95A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：4V @ 250µA
不同 Vgs 時的柵極電荷（Qg）：200nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）：7360pF @ 25V
功率 - 最大值：300W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：Super-220?-3（直引線）
供應(yīng)商器件封裝：SUPER-220?（TO-273AA）
其它名稱：*IRFBA1404P