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制造商:Infineon

產(chǎn)品種類:MOSFET

RoHS:是

技術(shù):Si

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:TO-220-3

通道數(shù)量:1 Channel

晶體管極性:N-Channel

Vds-漏源極擊穿電壓:75 V

Id-連續(xù)漏極電流:59 A

Rds On-漏源導通電阻:9 mOhms

Vgs th-柵源極閾值電壓:3.7 V

Vgs - 柵極-源極電壓:20 V

Qg-柵極電荷:83 nC

Pd-功率耗散:99 W

配置:Single

通道模式:Enhancement

商標名:StrongIRFET

封裝:Tube

高度:15.65 mm

長度:10 mm

晶體管類型:1 N-Channel

寬度:4.4 mm

商標:Infineon Technologies

正向跨導 - 最小值:132 S

下降時間:30 ns

產(chǎn)品類型:MOSFET

上升時間:36 ns

工廠包裝數(shù)量:1000

子類別:MOSFETs

典型關(guān)閉延遲時間:33 ns

典型接通延遲時間:9.9 ns

零件號別名:SP001556090

單位重量:6 g