制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:40 V
Id-連續(xù)漏極電流:120 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:2.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:135 nC
Pd-功率耗散:208 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
商標(biāo)名:StrongIRFET
封裝:Tube
高度:15.65 mm
長度:10 mm
產(chǎn)品:HEXFET Power MOSFET
寬度:4.4 mm
商標(biāo):Infineon Technologies
產(chǎn)品類型:MOSFET
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
零件號(hào)別名:SP001577780
單位重量:6 g