封裝/外殼：SO8
FET 類型：2 個(gè) N 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：7.8A，8.9A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：21.8 毫歐 @ 7.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：2.25V @ 25μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：6.9nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：600pF @ 15V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：7.8 A，8.9 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：21.3 m0hms，29.3 m0hms
最大柵閾值電壓：2.25V
最小柵閾值電壓：1.35V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOIC
引腳數(shù)目：8
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2 W
典型接通延遲時(shí)間：5.2 ns、6.2 ns
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：6.9 ns、8.1 ns
典型輸入電容值@Vds：600 pF @ 15 V、910 pF @ 15 V
典型柵極電荷@Vgs：4.6 nC @ 4.5 V，6.9 nC @ 4.5 V
系列：HEXFET
每片芯片元件數(shù)目：2
最低工作溫度：-55 °C
寬度：4mm
高度：1.5mm
長度：5mm
正向跨導(dǎo)：15S
正向二極管電壓：1V
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
最高工作溫度：+150 °C
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs