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制造商:Vishay

產品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:18 A

Vds-漏源極擊穿電壓:40 V

Rds On-漏源導通電阻:5 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

最大工作溫度:+ 150 C

Pd-功率耗散:2.5 W

安裝風格:SMD/SMT

封裝 / 箱體:SOIC-Narrow-8

商標:Vishay / Siliconix

通道模式:Enhancement

配置:Single Quad Drain Triple Source

下降時間:5 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:12 ns

典型關閉延遲時間:21 ns

典型接通延遲時間:14 ns