封裝/外殼：SO8
FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：10.8A（Ta）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：14 毫歐 @ 15A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：3V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：26nC @ 5V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：1801pF @ 10V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：11.8 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：14 m0hms
最大柵閾值電壓：3V
最小柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOIC
晶體管配置：單
引腳數(shù)目：8
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：3 W
長(zhǎng)度：5mm
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
每片芯片元件數(shù)目：1
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：17 nC @ 5 V
典型輸入電容值@Vds：1801 pF @ 10 V
典型關(guān)斷延遲時(shí)間：43 ns
典型接通延遲時(shí)間：8.6 ns
寬度：4mm
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
高度：1.5mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs