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IRF7811A
規(guī)格信息:

產(chǎn)品培訓(xùn)模塊:Discrete Power MOSFETs 40V and Below

標(biāo)準(zhǔn)包裝:95

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:管件

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):28V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):11A(Ta)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):10 毫歐 @ 11A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):3V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):26nC @ 4.5V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):1760pF @ 15V

功率 - 最大值:2.5W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO

其它名稱:*IRF7811A

介紹圖IRF7811A
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IRF7811AVTRMOSFET N-CH 30V 10.8A 8SOInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)27.16 Kbytes共3頁IRF7811AVTR的PDF文件地址 IRF7811AVTR的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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