FET 類型：N 溝道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
漏源電壓（Vdss）：30V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時）：8.5A（Ta）
驅(qū)動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：57nC @ 10V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：1200pF @ 25V
功率耗散（最大值）：2.5W（Ta）
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：22 毫歐 @ 4A，10V
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
封裝/外殼：SO8
通道類型：N
最大連續(xù)漏極電流：8.5 A
最大漏源電壓：30 V
最大漏源電阻值：22 m0hms
最大柵閾值電壓：1V
最大柵源電壓：-20 V、+20 V
封裝類型：SOIC
引腳數(shù)目：8
晶體管配置：單
通道模式：增強(qiáng)
類別：功率 MOSFET
最大功率耗散：2.5 W
高度：1.5mm
每片芯片元件數(shù)目：1
尺寸：5 x 4 x 1.5mm
寬度：4mm
系列：HEXFET
晶體管材料：Si
典型柵極電荷@Vgs：57 nC @ 10 V
典型輸入電容值@Vds：1200 pF@ 25 V
典型關(guān)斷延遲時間：42 ns
典型接通延遲時間：10 ns
最低工作溫度：-55 °C
最高工作溫度：+150 °C
長度：5mm
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs