封裝/外殼：SO8
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：30V
不同?Id，Vgs 時的?Rds On（最大值）：29 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：33nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF @ 25V
功率 - 最大值：2.5W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：N 和 P 溝道
FET功能：邏輯電平門
不同?Id，Vgs時的?RdsOn（最大值）：29 毫歐 @ 5.8A，10V
不同Id時的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs時的柵極電荷?（Qg）（最大值）：33nC @ 10V
不同Vds時的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF @ 25V
功率-最大值：2.5W
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：N+P
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：7.3A/5.3A
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無鉛情況/RoHs：無鉛/符合RoHs