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晶體管極性N-Channel
汲極/源極擊穿電壓55 V
閘/源擊穿電壓20 V
漏極連續(xù)電流5.1 A
電阻汲極/源極 RDS(導通)65 mOhms
配置Dual
安裝風格SMD/SMT
封裝 / 箱體SOIC-8
柵極電荷 Qg29 nC
功率耗散2.4 W
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