封裝/外殼：SO8
FET 類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET 功能：邏輯電平門
漏源電壓（Vdss）：12V
電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）：9.2A
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：57nC @ 4.5V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3450pF @ 10V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：2 個(gè) P 溝道（雙）
FET功能：邏輯電平門
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：17 毫歐 @ 9.2A，4.5V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：900mV @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：57nC @ 4.5V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：3450pF @ 10V
功率-最大值：2W
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：P-CH
漏源極擊穿電壓VDSS：12V
連續(xù)漏極電流ID：9.2A
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs