封裝/外殼：SO8
FET 類型：N 和 P 溝道
FET 功能：標(biāo)準(zhǔn)
漏源電壓（Vdss）：30V
不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）：29 毫歐 @ 5.8A，10V
不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：33nC @ 10V
不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF @ 25V
功率 - 最大值：2W
工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝
系列：HEXFET?
FET類型：N 和 P 溝道
FET功能：標(biāo)準(zhǔn)
不同?Id，Vgs時(shí)的?RdsOn（最大值）：29 毫歐 @ 5.8A，10V
不同Id時(shí)的Vgs（th）（最大值）：1V @ 250μA
不同Vgs時(shí)的柵極電荷?（Qg）（最大值）：33nC @ 10V
不同Vds時(shí)的輸入電容（Ciss）（最大值）：650pF @ 25V
功率-最大值：2W
封裝形式Package：SOIC
極性Polarity：N+P
漏源極擊穿電壓VDSS：30V
連續(xù)漏極電流ID：6.5A/4.9A
供應(yīng)商器件封裝：8-SO
無(wú)鉛情況/RoHs：無(wú)鉛/符合RoHs