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IRF7311TR
規(guī)格信息:

設(shè)計(jì)資源:IRF7311TRPBF Saber Model IRF7311TRPBF Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝:4,000

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 陣列

系列:HEXFET®

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:2 個(gè) N 溝道(雙)

FET 功能:邏輯電平門(mén)

漏源極電壓(Vdss):20V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時(shí)):6.6A

不同?Id,Vgs 時(shí)的?Rds On(最大值):29 毫歐 @ 6A,4.5V

不同 Id 時(shí)的 Vgs(th)(最大值):700mV @ 250µA

不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷(Qg):27nC @ 4.5V

不同 Vds 時(shí)的輸入電容(Ciss):900pF @ 15V

功率 - 最大值:2W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:8-SOIC(0.154",3.90mm 寬)

供應(yīng)商器件封裝:8-SO

介紹圖IRF7311TR
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
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IRF7311TRPBFMOSFET MOSFT DUAL NCh 20V 6.6AInfineon / IRInfineon / IR的LOGO-天天IC網(wǎng)1.94 Mbytes共7頁(yè)IRF7311TRPBF的PDF文件地址 IRF7311TRPBF的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF7311TRPBFMOSFET 2N-CH 20V 6.6A 8-SOICInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)1.95 Mbytes共8頁(yè)IRF7311TRPBF的PDF文件地址 IRF7311TRPBF的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF7311TRPBF連續(xù)漏極電流(Id)(25°C 時(shí)):6.6A 漏源電壓(Vdss):-20V 柵源極閾值電壓:700mV @ 250uA 漏源導(dǎo)通電阻:29mΩ @ 6A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):2W 類型:雙N溝道Infineon(英飛凌)Infineon(英飛凌)的LOGO-天天IC網(wǎng)1.94 Mbytes共7頁(yè)IRF7311TRPBF的PDF文件地址 IRF7311TRPBF的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買(mǎi)
IRF7311TR相關(guān)型號(hào)規(guī)格信息
購(gòu)買(mǎi)、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚?xiě)詢價(jià)信息:(3分鐘左右您將得到回復(fù))
詢價(jià)型號(hào)*數(shù)量*批號(hào)封裝品牌其它要求
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