制造商:Vishay
產(chǎn)品種類(lèi):MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-220-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:400 V
Id-連續(xù)漏極電流:5.5 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:1 Ohms
Vgs th-柵源極閾值電壓:2 V
Vgs - 柵極-源極電壓:10 V
Qg-柵極電荷:22 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 150 C
Pd-功率耗散:74 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:15.49 mm
長(zhǎng)度:10.41 mm
系列:IRF
晶體管類(lèi)型:1 N-Channel
寬度:4.7 mm
商標(biāo):Vishay / Siliconix
正向跨導(dǎo) - 最小值:3.1 S
下降時(shí)間:16 ns
產(chǎn)品類(lèi)型:MOSFET
上升時(shí)間:22 ns
工廠包裝數(shù)量:50
子類(lèi)別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間:20 ns
典型接通延遲時(shí)間:10 ns
單位重量:6 g