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制造商:Infineon
產(chǎn)品種類:MOSFET
RoHS:是
技術(shù):Si
安裝風(fēng)格:Through Hole
封裝 / 箱體:TO-262-3
通道數(shù)量:1 Channel
晶體管極性:N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓:55 V
Id-連續(xù)漏極電流:110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:6.5 mOhms
Vgs th-柵源極閾值電壓:4 V
Vgs - 柵極-源極電壓:20 V
Qg-柵極電荷:76 nC
最小工作溫度:- 55 C
最大工作溫度:+ 175 C
Pd-功率耗散:170 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封裝:Tube
高度:9.45 mm
長度:10.2 mm
晶體管類型:1 N-Channel
類型:HEXFET Power MOSFET
寬度:4.5 mm
商標(biāo):Infineon / IR
正向跨導(dǎo) - 最小值:71 S
下降時間:67 ns
產(chǎn)品類型:MOSFET
上升時間:95 ns
工廠包裝數(shù)量:1000
子類別:MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時間:45 ns
典型接通延遲時間:18 ns
零件號別名:SP001564660
單位重量:2.084 g
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