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IRF3205STRR
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設(shè)計資源:IRF3205SPBF Saber Model IRF3205SPBF Spice Model

標(biāo)準(zhǔn)包裝:800

類別:分立半導(dǎo)體產(chǎn)品

家庭:FET - 單

系列:HEXFET®

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:標(biāo)準(zhǔn)

漏源極電壓(Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):110A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):8 毫歐 @ 62A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):4V @ 250µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):146nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):3247pF @ 25V

功率 - 最大值:200W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應(yīng)商器件封裝:D2PAK

介紹圖IRF3205STRR
型號功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數(shù)PDF文件相關(guān)型號第一頁預(yù)覽產(chǎn)品購買
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IRF3205STRRPBFMOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 8mOhms 97.3nCInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)279.41 Kbytes共11頁IRF3205STRRPBF的PDF文件地址 IRF3205STRRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
IRF3205STRRPBFMOSFET N-CH 55V 110A D2PAKInfineon TechnologiesInfineon Technologies的LOGO-天天IC網(wǎng)289.93 Kbytes共12頁IRF3205STRRPBF的PDF文件地址 IRF3205STRRPBF的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購買
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