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制造商:International Rectifier

產(chǎn)品種類:MOSFET

Id-連續(xù)漏極電流:42 A

Vds-漏源極擊穿電壓:100 V

Rds On-漏源導(dǎo)通電阻:36 mOhms

晶體管極性:N-Channel

Vgs-柵源極擊穿電壓 :20 V

Qg-柵極電荷:73.3 nC

最大工作溫度:+ 175 C

Pd-功率耗散:160 W

安裝風格:Through Hole

封裝 / 箱體:I2PAK-3

商標:International Rectifier

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降時間:40 ns

最小工作溫度:- 55 C

上升時間:56 ns

典型關(guān)閉延遲時間:45 ns

典型接通延遲時間:11 ns