數(shù)據(jù)列表:IPx80N06S4L-07
標準包裝:1,000
類別:分立半導體產(chǎn)品
家庭:FET - 單
系列:OptiMOS??
包裝:帶卷(TR)
FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET 功能:邏輯電平門
漏源極電壓(Vdss):60V
電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc)
不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):6.4 毫歐 @ 80A,10V
不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 40µA
不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):75nC @ 10V
不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):5680pF @ 25V
功率 - 最大值:79W
安裝類型:表面貼裝
封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB
供應商器件封裝:PG-TO263-3
其它名稱:IPB80N06S4L07ATMA1SP000415572
IPB80N06S4L-07
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IPB80N06S4L-07 | OptiMOS-T2 Power-Transistor | INFINEON[Infineon Technologies AG] | 175.9 Kbytes | 共9頁 | 產(chǎn)品購買 |
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