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IPB80N06S3L-06
規(guī)格信息:

標準包裝:1,000

類別:分立半導體產品

家庭:FET - 單

系列:OptiMOS??

包裝:帶卷(TR)

FET 類型:MOSFET N 通道,金屬氧化物

FET 功能:邏輯電平門

漏源極電壓(Vdss):55V

電流 - 連續(xù)漏極(Id)(25°C 時):80A(Tc)

不同?Id,Vgs 時的?Rds On(最大值):5.6 毫歐 @ 56A,10V

不同 Id 時的 Vgs(th)(最大值):2.2V @ 80µA

不同 Vgs 時的柵極電荷(Qg):196nC @ 10V

不同 Vds 時的輸入電容(Ciss):9417pF @ 25V

功率 - 最大值:136W

安裝類型:表面貼裝

封裝/外殼:TO-263-3,D²Pak(2 引線+接片),TO-263AB

供應商器件封裝:PG-TO263-3

其它名稱:IPB80N06S3L-06-NDIPB80N06S3L-06INTRIPB80N06S3L06XTSP000088004

介紹圖IPB80N06S3L-06
型號功能描述生產廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁數PDF文件相關型號第一頁預覽產品購買
IPB80N06S3L-06OptiMOS??-T Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網154.98 Kbytes共8頁IPB80N06S3L-06的PDF文件地址IPP25N06S3-25,IPP25N06S3L-22,IPP77N06S3-09,IPP80N06S3L-08,IPP100N06S3-03,IPP100N06S3L-03,BSO104N03S,IPB14N03LA,IPS13N03LA,SPD30N03S2L-20 IPB80N06S3L-06的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB80N06S3L-06OptiMOS-T2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網191.4 Kbytes共9頁IPB80N06S3L-06的PDF文件地址 IPB80N06S3L-06的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
IPB80N06S3L-06_07OptiMOS-T2 Power-Transistor INFINEON[Infineon Technologies AG]INFINEON[Infineon Technologies AG]的LOGO-天天IC網191.4 Kbytes共9頁IPB80N06S3L-06_07的PDF文件地址 IPB80N06S3L-06_07的PDF第一頁預覽圖片 產品購買
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