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GT60N321
規(guī)格信息：

XPackage：3TO-3P(LH)

包裝：3TO-3P(LH)

配置：Single

最大集電極發(fā)射極電壓：1000 V

最大連續(xù)集電極電流：60 A

最大柵極發(fā)射極電壓：±25 V

安裝：Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube

介紹圖GT60N321
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GT60N321Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)173.5 Kbytes共6頁GT60N321的PDF文件地址 GT60N321的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
GT60N321Bipolar Small-Signal Transistors TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)1582.74 Kbytes共73頁GT60N321的PDF文件地址 GT60N321的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
GT60N321(Q)IGBT 1000V 60A 170W TO3P LHToshiba Semiconductor and StorageToshiba Semiconductor and Storage的LOGO-天天IC網(wǎng)212.64 Kbytes共6頁GT60N321(Q)的PDF文件地址 GT60N321(Q)的PDF第一頁預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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