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GT60M303
規(guī)格信息：

XPackage：3TO-3P(LH)

包裝：3TO-3P(LH)

配置：Single

最大集電極發(fā)射極電壓：900 V

最大連續(xù)集電極電流：60 A

最大柵極發(fā)射極電壓：±25 V

安裝：Through Hole

標(biāo)準(zhǔn)包裝：Rail / Tube

供應(yīng)商封裝形式：TO-3P(LH)

最大柵極發(fā)射極電壓：±25

最大連續(xù)集電極電流：60

歐盟RoHS指令：Not Compliant

最高工作溫度：150

渠道類型：N

最大集電極發(fā)射極電壓：900

最大功率耗散：170000

最低工作溫度：-55

引腳數(shù)：3

介紹圖GT60M303
型號(hào)功能描述生產(chǎn)廠商廠商LOGOPDF大小PDF頁(yè)數(shù)PDF文件相關(guān)型號(hào)第一頁(yè)預(yù)覽產(chǎn)品購(gòu)買
GT60M303INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)426.72 Kbytes共6頁(yè)GT60M303的PDF文件地址 GT60M303的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
GT60M303Bipolar Small-Signal Transistors TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)1582.74 Kbytes共73頁(yè)GT60M303的PDF文件地址 GT60M303的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
GT60M303ADiscrete IGBTs TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]TOSHIBA[Toshiba Semiconductor]的LOGO-天天IC網(wǎng)835.68 Kbytes共16頁(yè)GT60M303A的PDF文件地址 GT60M303A的PDF第一頁(yè)預(yù)覽圖片 產(chǎn)品購(gòu)買
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購(gòu)買、咨詢產(chǎn)品請(qǐng)?zhí)顚懺儍r(jià)信息：(3分鐘左右您將得到回復(fù))
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